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EAS測試管控關(guān)鍵參數Ias，Rate BV

2021-09-14

峰值擊穿電壓Rate BVDSS，峰值沖擊電流IAS 通過(guò)設定的Vgs，Ias，L，Vdd等參數，監控在通過(guò)設定的雪崩能量下，實(shí)際至少能吸收的峰值電壓，以保證在抗雪崩狀態(tài)下電路能繼續安全工作。

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抗雪崩能力測試電路

2021-09-14

器件承受的雪崩能量收到結溫影響，負載電感越大，瞬間要釋放的能量就越大，釋放過(guò)程中結溫上升也就越快，從而就越容易擊穿。也就是說(shuō)負載電感越大，IAS越小，允許的正常工作電流也就越小。

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雪崩能力EAS

2021-09-14

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導通電阻RDS(on): On Resistance

2021-09-14

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閾值電壓的負溫度特性

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開(kāi)啟電壓Vth: Thread Voltage

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漏電流：IDSS源漏漏電流、IGSS柵源漏電流

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漏源導通額定電流ID

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BVDSS Breakdown Voltage 漏源耐壓

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RDS(on) test method for NMOS

2020-05-22

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